三星表示：2022年量产GAA晶体管，第二代GAA晶体管也正在研发

三星电子（以下简称“三星”）宣布，计划于 2022 年下半年开始商业化生产采用全球首创的 GAA（Gate-All-Around）工艺的半导体芯片。与台积电在5nm工艺上使用的 FinFET 技术相比，GAA工艺具有晶体管密度优势，晶体管密度优势目前是台积电在半导体芯片工艺领域具有的最大优势。

在解释季度业绩的电话会议中，三星代工市场战略团队负责人 Moonsoo Kang 表示：“2022 年上半年，第一代 GAA 工艺3GAE（3nm Gate-All- “Around Early”）实现量产，目前3GAE的开发已经结束，未来我们将继续按计划开发第二代GAA工艺 3GAP（3nm Gate-All-Around Plus）。”

3GAE 和 3GAP 是三星给正在开发的GAA工艺的第一代和第二代的名称。3nm 工艺有两种变体——3GAAE 和 3GAAP——代表早期和加号，这是两款基于纳米片结构的设计，在鳍中具有多个横向带状线。这种纳米片设计已被研究机构 IMEC 作为 FinFET 的后续产品进行了大量讨论，并由 IBM、三星以及Globalfoundries 合作进行了研究。

“将 GAA 结构应用在我们的下一代工艺节点将使我们能够率先打开一个新的智能互联世界，同时也加强我们的技术领先地位。”三星执行副总裁兼代工销售和营销主管 Charlie Bae 说。

所谓Gate-all-around (GAA) ，有时候被称作横向纳米线场效应管。这是一个周边环绕着 gate 的 FinFet 。按照专家的观点， GAA 晶体管能够提供比 FinFet 更好的静电特性，可满足某些栅极宽度的需求，这主要体现在同等尺寸结构下，GAA沟道控制能力增强，因此给晶体管尺寸进一步微缩提供了可能。传统Finfet的沟道仅三面被栅极包围，而GAA以纳米线沟道设计为例，沟道的整个外轮廓都被栅极完全包裹住，这就意味着栅极对沟道的控制性能就更好。